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IXFN 140N20P
225
200
175
150
125
Fig. 7. Input Adm ittance
120
110
100
90
80
70
Fig. 8. Trans conductance
100
60
50
T J = -40 o C
25 o C
75
50
25
0
T J = 150 o C
25 o C
-40 o C
40
30
20
10
0
150 o C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
0
40
80
120
160
200
240
350
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
9
V DS = 100V
300
250
200
150
100
T J = 150 o C
8
7
6
5
4
3
2
I D = 70A
I G = 10m A
50
0
T J = 25 o C
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
25
50
75
100 125 150 175 200 225 250
V S D - V olts
Q
G
- nanoCoulombs
100,000
Fig. 11. Capacitance
f = 1M Hz
1000
Fig. 12. For w ar d-Bias
Safe Ope r ating Ar e a
10,000
C iss
100
R DS (on) Lim it
25μs
100μs
C os s
1m s
1,000
100
C rs s
10
1
T J = 175 o C
T C = 25 o C
DC
10m s
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
1
10
V D S - V olts
100
1000
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